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2SK2611(F,T)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3
數量：: 3258
說明：: MOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson 1.4 Ohm

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2SK2611(F,T) PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：50
上升時間：25 ns
功率耗散：150 W
下降時間：20 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.4 Ohms
漏極連續電流：9 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：900 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK2611(F,T)的詳細信息，包括2SK2611(F,T)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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