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2N6730

廠家:
  Central Semiconductor
封裝:
 TO-237
數(shù)量:
 1387  
說(shuō)明:
 兩極晶體管 - BJT POWER TRANSISTOR
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2N6730-TO-237圖片

2N6730 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:1 W
直流電流增益 hFE 最大值:250
集電極連續(xù)電流:- 1 A
封裝形式:TO-237
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 200 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:50 mA
增益帶寬產(chǎn)品fT:50 MHz
集電極—射極飽和電壓:- 0.5 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 100 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 100 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Central Semiconductor

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