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中文參數如下：
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：1000 mW
直流電流增益 hFE 最大值：100 at 10 mA at 2 V
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：100 at 10 mA at 2 V, 100 at 350 mA at 2 V
增益帶寬產品fT：500 MHz
最大直流電集電極電流：1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：80 V
集電極—基極電壓 VCBO：100 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Diodes Inc.
以上是2N6732的詳細信息，包括2N6732廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
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