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2N5770_D26Z

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92-3
數(shù)量：: 1764
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor

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2N5770_D26Z PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
集電極連續(xù)電流：50 mA
封裝形式：TO-92-3 Kinked Lead
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：20 at 3 mA at 1 V
最大直流電集電極電流：0.05 A
集電極—射極飽和電壓：15 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：4.5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：15 V
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是2N5770_D26Z的詳細信息，包括2N5770_D26Z廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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