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2N5770_D27Z

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92-3
數(shù)量:
 1773  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor
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2N5770_D27Z-TO-92-3圖片

2N5770_D27Z PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:2000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:350 mW
集電極連續(xù)電流:50 mA
封裝形式:TO-92-3 Kinked Lead
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:20 at 3 mA at 1 V
最大直流電集電極電流:0.05 A
集電極—射極飽和電壓:15 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4.5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V
集電極—基極電壓 VCBO:30 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是2N5770_D27Z的詳細信息,包括2N5770_D27Z廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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