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1N5618US

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數(shù)量：: 3210
說明：: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A

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1N5618US PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：D-5A
封裝/外殼：SQ-MELF，A
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：500 nA @ 600 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：2 μs
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.3 V @ 3 A
電流 - 平均整流 (Io)：1A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

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