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1N5619US

廠家：: Microchip Technology
封裝：
數量：: 3183
說明：: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A

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1N5619US PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：D-5A
封裝/外殼：SQ-MELF，A
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：25pF @ 12V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：500 nA @ 600 V
反向恢復時間 (trr)：250 ns
速度：快速恢復 = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.6 V @ 3 A
電流 - 平均整流 (Io)：1A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技術：標準
產品狀態：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Microchip Technology

以上是1N5619US的詳細信息，包括1N5619US廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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