| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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FGA20N120FTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | 104 | IGBT 晶體管 1200V N-Chan Trench | |
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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FGA20S120M | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 1200V 20A SA FS | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，集電極—射極飽... | ||||||
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FGA20S125P | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶體管 2.5A Output Current GateDrive Optocopler | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1250 V，集電極—射極飽和電壓：... | ||||||
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FGA20S140P | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶體管 USB Port Multimedia Switch | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1400 V，集電極—射極飽和電壓：... | ||||||
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FGA25N120ANDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 Copak Discrete | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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FGA25N120ANTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 Copak Discrete | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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FGA25N120ANTDTU_F109 | Fairchild Semiconductor | TO-3PN-3 | 423 | IGBT 晶體管 Copak Discrete | |
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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FGA25N120ANTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 25A/1200V/NPT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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FGA25N120FTD | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 1200V 25A Field Stop Trench | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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FGA25S125P | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶體管 Shorted Anode IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1250 V，集電極—射極飽和電壓：... | ||||||
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FGA30N120FTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶體管 1200V 30A FS | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200... | ||||||
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FGA30N60LSDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | 418 | IGBT 晶體管 30A 600V N-Ch Planar | |
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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FGA30S120P | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶體管 Shorted AnodeTM IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1300 V，集電極—射極飽和電壓：... | ||||||
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FGA40N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 Ultrafast IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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FGA40N65SMD | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶體管 650V, 40A Field Stop IGBT | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：650 V，集電極—射極飽和電壓：2.5 V，柵極/發(fā)射... | ||||||
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FGA50N100BNTD2 | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 N-ch / 50A 1000V | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1000... | ||||||
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FGA50N100BNTDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 600V 4 0A UFD | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1000... | ||||||
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FGA50N100BNTTU | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 N-CH / 50A 1000V NPT Trench | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
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FGA50N60LS | Fairchild Semiconductor | TO-3P | IGBT 晶體管 IGBT Short Circuit Rated | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 ... | ||||||
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FGA60N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | IGBT 晶體管 600V 60A FIELD STOP | ||
| 參數(shù)：制造商：Fairchild Semiconductor，產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
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