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FGA50N100BNTD2

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 TO-3P
數量：
 6300  
說明：
 IGBT 晶體管 N-ch / 50A 1000V
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FGA50N100BNTD2-TO-3P圖片

FGA50N100BNTD2 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：30
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3PN
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：156 W
柵極—射極漏泄電流：500 nA
在25 C的連續集電極電流：50 A
柵極/發射極最大電壓：25 V
集電極—射極飽和電壓：1.5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1000 V
配置：Single
RoHS：是
產品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FGA50N100BNTD2的詳細信息，包括FGA50N100BNTD2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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