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SKW30N60 Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A
參數:制造商:Infineon,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發射極最大電壓:+/...
SKW30N60HS Infineon Technologies TO-247-3 IGBT 晶體管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 30A
參數:制造商:Infineon,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發射極最大電壓:+/- 20 V,最大工作溫度:...
點擊查看STGWS38IH130D參考圖片 STGWS38IH130D STMicroelectronics TO-247 IGBT 晶體管 33 A 1300V fast IGBT
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,包裝形式:Tube,...
點擊查看STGWT38IH130D參考圖片 STGWT38IH130D STMicroelectronics TO-3P 238 IGBT 晶體管 33A 1300V VF IGBT PowerMESH IGBT
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1300 V,集電極—射極飽和電壓:2...
點擊查看STGY40NC60VD參考圖片 STGY40NC60VD STMicroelectronics MAX247? IGBT 晶體管 N Ch 600V 50A Max247
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/...
STGY50NB60HD STMicroelectronics TO-247-MAX-3 IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 50 Amp
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:否,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極...
點擊查看STGY50NC60WD參考圖片 STGY50NC60WD STMicroelectronics MAX247? IGBT 晶體管 600V 65A N-Channel
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/...
點擊查看STG3P2M10N60B參考圖片 STG3P2M10N60B STMicroelectronics SEMITOP?2 IGBT 晶體管 1Phase Bridg Rctifir 3 phase invertr IGBT
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Hex,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發射極...
點擊查看STG3P3M25N60參考圖片 STG3P3M25N60 STMicroelectronics SEMITOP 3-19 IGBT 晶體管 3 Phase invertr IGBT SEMITOP3 mod
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Hex,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/發射極...
STK08IE120 STMicroelectronics IGBT 晶體管 PWR BIP/S.SIGNAL
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:否,包裝形式:Tube,工廠包裝數量:30,...
點擊查看STGB10NB37LZ參考圖片 STGB10NB37LZ STMicroelectronics D2PAK(TO-263) IGBT 晶體管 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1.8 V,集電極...
點擊查看STGB10NB37LZT4參考圖片 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics D2PAK 1,072 IGBT 晶體管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:440 V,柵極/...
點擊查看STGB10NB40LZT4參考圖片 STGB10NB40LZT4 STMicroelectronics D2PAK IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:過渡期間,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:1.8 V,...
點擊查看STGB10NB60ST4參考圖片 STGB10NB60ST4 STMicroelectronics D2PAK(TO-263) IGBT 晶體管 N Ch 10A 600V
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/...
點擊查看STGB10NC60HDT4參考圖片 STGB10NC60HDT4 STMicroelectronics D2PAK IGBT 晶體管 N Ch 10A 600V
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/...
點擊查看STGB10NC60KDT4參考圖片 STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics D2PAK 872 IGBT 晶體管 N-channel MOSFET
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/...
點擊查看STGB10NC60KT4參考圖片 STGB10NC60KT4 STMicroelectronics D2PAK 1,889 IGBT 晶體管 N-channel MOSFET
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/...
點擊查看STGB12NB60KDT4參考圖片 STGB12NB60KDT4 STMicroelectronics D2PAK IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 18 Amp
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:過渡期間,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,...
點擊查看STGB14NC60KDT4參考圖片 STGB14NC60KDT4 STMicroelectronics D2PAK IGBT 晶體管 PowerMESH" IGBT
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,集電極...
點擊查看STGB14NC60KT4參考圖片 STGB14NC60KT4 STMicroelectronics D2PAK IGBT 晶體管 N-channel MOSFET
參數:制造商:STMicroelectronics,產品種類:IGBT 晶體管,RoHS:是,配置:Single,集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V,柵極/...

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