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STGB12NB60KDT4

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 D2PAK
數(shù)量:
 5886  
說明:
 IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 18 Amp
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STGB12NB60KDT4-D2PAK圖片

STGB12NB60KDT4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:1000
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 65 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic:30 A
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK-3
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:125 W
柵極—射極漏泄電流:+/- 100 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流:30 A
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓:2.2 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V
配置:Single
RoHS:過渡期間
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
制造商:STMicroelectronics

以上是STGB12NB60KDT4的詳細(xì)信息,包括STGB12NB60KDT4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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