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STGB12NB60KDT4

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 5886
說明：: IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 18 Amp

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STGB12NB60KDT4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：1000
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic：30 A
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：125 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 100 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：30 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：2.2 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：過渡期間
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
制造商：STMicroelectronics

以上是STGB12NB60KDT4的詳細(xì)信息，包括STGB12NB60KDT4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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