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TISP61089ASD Bourns SOIC-8 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:11 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:120 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM...
點(diǎn)擊查看TISP61089ASDR參考圖片 TISP61089ASDR Bourns SOIC-8 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:11 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:120 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM...
點(diǎn)擊查看TISP61089ASDR-S參考圖片 TISP61089ASDR-S Bourns 8-SOIC SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:11 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:120 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM...
點(diǎn)擊查看TISP61089ASD-S參考圖片 TISP61089ASD-S Bourns SOIC-8 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:11 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:120 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM...
TISP61089BD Bourns SOIC-8 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:6.5 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:170 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDR...
點(diǎn)擊查看TISP61089BDR參考圖片 TISP61089BDR Bourns 8-SOIC SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:6.5 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:170 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDR...
點(diǎn)擊查看TISP61089BDR-S參考圖片 TISP61089BDR-S Bourns 8-SOIC 26,709 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:6.5 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:170 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDR...
點(diǎn)擊查看TISP61089BDR-T參考圖片 TISP61089BDR-T Bourns 8-SOIC SCR PROTECTOR - PROGRAMMABLE SLIC PROTECT
參數(shù):制造商:Bourns,...
點(diǎn)擊查看TISP61089BD-S參考圖片 TISP61089BD-S Bourns SOIC-8 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:6.5 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:170 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDR...
TISP61089BSDR-S Bourns SOIC-8 SCR PROTECTOR - QUAD PROGRAMMABLE
參數(shù):制造商:Bourns,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:6.5 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:170 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):0.005 ...
TISP61089D Bourns SOIC-8 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:否,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:11 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:100 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM...
TISP61089DR Bourns SOIC-8 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:11 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:100 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM...
點(diǎn)擊查看TISP61089DR-S參考圖片 TISP61089DR-S Bourns 8-SOIC 1,529 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:11 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:100 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM...
TISP61089D-S Bourns SOIC-8 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:11 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:100 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM...
點(diǎn)擊查看TISP61089HDMR-S參考圖片 TISP61089HDMR-S Bourns 8-SOIC 8,607 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:7.7 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:170 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDR...
TISP61089P Bourns SOIC-8 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:否,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:11 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:100 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM...
點(diǎn)擊查看TISP61089P-S參考圖片 TISP61089P-S Bourns PDIP-8 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:11 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:100 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM...
點(diǎn)擊查看TISP61089QBDR-S參考圖片 TISP61089QBDR-S Bourns 8-SOIC 15,130 SCR Quad Programmable Protector
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:- 170 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):- 5 u...
點(diǎn)擊查看TISP61089QDR-S參考圖片 TISP61089QDR-S Bourns SOIC-8 1818 SCR Quad programmable Thyristor
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:是,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:- 170 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):- 5 u...
點(diǎn)擊查看TISP61089SDR參考圖片 TISP61089SDR Bourns SOIC-8 SCR Dual P Gate Forward Conducting
參數(shù):制造商:Bourns,產(chǎn)品種類:SCR,RoHS:否,最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:11 A,額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:100 V,關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM...

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