| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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PTFA091201HLV1 |
Infineon Technologies |
PG-64248-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LD EPOC |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：920 MHz to 9... |
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PTFA091201HLV1R250 |
Infineon Technologies |
PG-64248-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：920 MHz to 9... |
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PTFA091203EL V4 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS 120W 920-960MHz |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：920 MHz to 960 MHz，增益：17 dB，輸出功率：120 W... |
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PTFA091203EL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS 120W 920-960MHz |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：920 MHz to 960 MHz，增益：17 dB，輸出功率：120 W... |
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PTFA091503EL V4 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1250 mA，閘/源擊穿電壓：... |
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PTFA091503EL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1250 mA，閘/源擊穿電壓：... |
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PTFA092201E V4 |
Infineon Technologies |
H-36260-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：920 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA092201E V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-36260-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：920 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA092201EV1 |
Infineon Technologies |
H-36260-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：920 MHz to 9... |
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PTFA092201F V4 |
Infineon Technologies |
H-37260-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：920 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA092201F V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-37260-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：920 MHz to 960 MHz，... |
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PTFA092201FV1 |
Infineon Technologies |
H-37260-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，RoHS：是，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：920 MHz to 9... |
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PTFA092211EL V4 |
Infineon Technologies |
H-33288-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.5 A，閘/源擊穿電壓：12... |
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PTFA092211EL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.5 A，閘/源擊穿電壓：12... |
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PTFA092211FL V4 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.5 A，閘/源擊穿電壓：12... |
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PTFA092211FL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1.5 A，閘/源擊穿電壓：12... |
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PTFA092213EL V4 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1850 mA，閘/源擊穿電壓：... |
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PTFA092213EL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1850 mA，閘/源擊穿電壓：... |
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PTFA092213FL V4 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1850 mA，閘/源擊穿電壓：... |
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PTFA092213FL V4 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |
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| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續(xù)電流：1850 mA，閘/源擊穿電壓：... |
