色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 射頻半導(dǎo)體 > 晶體管射頻 > 射頻MOSFET電源晶體管 > PTFA092201E V4 R250

PTFA092201E V4 R250

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-36260-2
數(shù)量：: 5580
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ

一、本商品被瀏覽0次.

PTFA092201E V4 R250 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：FA092201EV4R25XT PTFA092201EV4R250XTMA1 SP000434224
工廠包裝數(shù)量：250
系列：PTFA092201
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.04 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：700 W
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Reel
封裝形式：H-36260-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續(xù)電流：1.85 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：55 W
增益：18.5 dB
頻率：920 MHz to 960 MHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA092201E V4 R250的詳細(xì)信息，包括PTFA092201E V4 R250廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管射頻MOSFET小信號晶體管

最新產(chǎn)品：