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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計算機(jī)磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
SI4486EY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 100V 7.9A 3.8W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
SI4486EY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 100V 7.9A 3.8W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI4486EY-T1-E3參考圖片 SI4486EY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 100V 7.9A 3.8W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI4486EY-T1-GE3參考圖片 SI4486EY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 100V 7.9A 3.8W 25mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
SI4488DY Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 150V 5A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:150 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:3.5 A,...
SI4488DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 150V 5A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:150 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
SI4488DY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 150V 5A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:150 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:3.5 A,...
點(diǎn)擊查看SI4488DY-T1-E3參考圖片 SI4488DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 150V 5A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:150 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI4488DY-T1-GE3參考圖片 SI4488DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 4,330 MOSFET 150V 5.0A 3.1W 50mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:150 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
SI4490DY Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 200V 4A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
SI4490DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 200V 4A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
SI4490DY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 200V 4A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI4490DY-T1-E3參考圖片 SI4490DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 2,141 MOSFET 200V 4A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI4490DY-T1-GE3參考圖片 SI4490DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 200V 4.0A 3.1W 80mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI4493DY-T1-E3參考圖片 SI4493DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 20V 14A 1.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SI4493DY-T1-GE3參考圖片 SI4493DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 20V 14A 3.0W 7.75mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
SI4496DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 100V 7.7A 1.4W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
SI4496DY-T1-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 100V 7.7A 3.1W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點(diǎn)擊查看SI4497DY-T1-GE3參考圖片 SI4497DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET -30V 3.3mOhm@10V 36A P-Ch G-III
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:- 36 ...
SI4500BDY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 20V 9.1/5.3A 1.3W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N and P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 1...

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