色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

購物車0種商品
IC郵購網-IC電子元件采購商城

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源,也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
SI4466DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 20V 13.2A 2.5W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
SI4466DY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 20V 13.2A 2.5W
參數:制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極連續電流:9.5 A,電...
點擊查看SI4466DY-T1-E3參考圖片 SI4466DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 20V 13.2A 2.5W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SI4466DY-T1-GE3參考圖片 SI4466DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 20V 13.5A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
SI4467DY-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 12V 12A 2.5W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
SI4467DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 12V 12A 2.5W
參數:制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連續電流:12 A,電阻汲...
SI4467DY-T1-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 12V 12A 2.5W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
SI4470EY Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 60V 12.7A 3.75W
參數:制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續電流:9 A,電阻汲...
SI4470EY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 60V 12.7A 3.75W
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續電流:9 A,電阻汲...
SI4470EY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 60V 12.7A 1.85W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SI4470EY-T1-E3參考圖片 SI4470EY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 60 Volt 12.7A 3.75W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SI4470EY-T1-GE3參考圖片 SI4470EY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 60V 12.7A 3.75W 11mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SI4472DY-T1-E3參考圖片 SI4472DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:150 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SI4472DY-T1-GE3參考圖片 SI4472DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:150 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
SI4473DY Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 14V 13A 3W
參數:制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:14 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極連續電流:9 A,電阻汲...
SI4473DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 14V 13A 3W
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:14 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極連續電流:9 A,電阻汲...
SI4473DY-T1-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 14 Volt 13 Amp 3.0W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:14 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SI4477DY-T1-GE3參考圖片 SI4477DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 30V 6.2mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:- 20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,...
SI4480DY-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 80V 6A 2.5W
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:80 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續電流:6 A,電阻汲...
SI4480DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 80V 6A 2.5W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:80 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...

52/219 首頁 上頁 [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] 下頁 尾頁 

IC電子元件查詢
IC郵購網電子元件品質保障

主站蜘蛛池模板: 太保市| 和田市| 平定县| 徐州市| 盘锦市| 遂溪县| 彭水| 宾川县| 邵阳县| 辽源市| 光泽县| 贺州市| 晋江市| 青铜峡市| 望都县| 鄢陵县| 金华市| 彰化市| 南京市| 崇明县| 札达县| 宁河县| 新巴尔虎右旗| 天长市| 福贡县| 尚义县| 丽江市| 泸水县| 昌平区| 张家界市| 广宗县| 行唐县| 巨鹿县| 庆元县| 彰化市| 荥经县| 玛多县| 兴宁市| 崇义县| 望都县| 越西县|