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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源,也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
點擊查看SI4447DY-T1-GE3參考圖片 SI4447DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 1,640 MOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 16 V,漏極...
點擊查看SI4448DY-T1-E3參考圖片 SI4448DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 12V 50A 7.8W 1.7mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點擊查看SI4448DY-T1-GE3參考圖片 SI4448DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 12V 50A 7.8W 1.7mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
SI4450DY-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 60V 7.5A 2.5W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4450DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 60V 7.5A 2.5W
參數:制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續(xù)電流:7.5 A,電...
SI4450DY-T1-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 60V 7.5A 2.5W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4450DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 60V 7.5A 2.5W 24mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SI4451DY-T1-E3參考圖片 SI4451DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點擊查看SI4451DY-T1-GE3參考圖片 SI4451DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 12V 14A 3.0W 8.25mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
SI4453DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 12V 14A 3.0W 6.5mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點擊查看SI4453DY-T1-E3參考圖片 SI4453DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 12V 14A 3.0W 6.5mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點擊查看SI4453DY-T1-GE3參考圖片 SI4453DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 12V 14A 3.0W 6.5mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點擊查看SI4464DY-T1-E3參考圖片 SI4464DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 200V 2.2A 0.24Ohm
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SI4464DY-T1-GE3參考圖片 SI4464DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 200V 2.2A 2.5W 240mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SI4465ADY-T1-E3參考圖片 SI4465ADY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 3,764 MOSFET 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:8 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連續(xù)...
點擊查看SI4465ADY-T1-GE3參考圖片 SI4465ADY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 2,460 MOSFET 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:8 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連續(xù)...
SI4465DY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 8V 14A 2.5W
參數:制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:8 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連續(xù)電流:14 A,電阻汲極...
SI4465DY-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 8V 14A 2.5W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:8 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連續(xù)...
SI4465DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 8V 4.5A 2.5W
參數:制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:8 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連續(xù)電流:14 A,電阻汲極...
SI4465DY-T1-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 8V 4.5A 2.5W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:P-Channel,汲極/源極擊穿電壓:8 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連續(xù)...

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