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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源,也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
SI4874DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 15A 3.1W
參數:制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續電流:15 A,電阻...
SI4874DY-T1-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 15A 3.1W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4876DY Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 20V 21A 3.6W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
SI4876DY-E3 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 20V 21A 3.6W
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極連續電流:21 A,電阻...
SI4876DY-T1 Vishay/Siliconix SO-8 MOSFET 20V 21A 3.6W
參數:制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極連續電流:21 A,電阻...
點擊查看SI4876DY-T1-E3參考圖片 SI4876DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 20V 21A 3.6W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SI4876DY-T1-GE3參考圖片 SI4876DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 20V 21A 3.6W 5.0mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SI4880DY參考圖片 SI4880DY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 13A 2.5W
參數:制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極連續電流:13 A,電阻...
SI4880DY-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 13A 2.5W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極...
SI4880DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 13A 2.5W
參數:制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極連續電流:13 A,電阻...
點擊查看SI4880DY-T1-E3參考圖片 SI4880DY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 30V 13A 2.5W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極...
點擊查看SI4880DY-T1-GE3參考圖片 SI4880DY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 30V 13A 2.5W 8.5mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極...
SI4882DY Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 11A 2.5W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極...
SI4882DY-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 11A 2.5W
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極連續電流:11 A,電阻...
SI4882DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 11A 2.5W
參數:制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極連續電流:11 A,電阻...
SI4882DY-T1-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 11A 2.5W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 25 V,漏極...
點擊查看SI4884BDY-T1-E3參考圖片 SI4884BDY-T1-E3 Vishay/Siliconix 8-SOIC MOSFET 30V 12A 2.95W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SI4884BDY-T1-GE3參考圖片 SI4884BDY-T1-GE3 Vishay/Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 30V 16.5A 4.45W 9.0mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4884DY-E3 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 12A 2.95W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SI4884DY-T1 Vishay/Siliconix SOIC-8 Narrow MOSFET 30V 12A 2.95W
參數:制造商:Vishay,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續電流:12 A,電阻...

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