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SI4876DY-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數量:
 936  
說明:
 MOSFET 20V 21A 3.6W 5.0mohm @ 4.5V
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SI4876DY-T1-GE3-8-SOIC(0.154

SI4876DY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI4876DY-GE3
典型關閉延遲時間:175 ns
工廠包裝數量:2500
功率耗散:3.6 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):5 mOhms
漏極連續電流:21 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4876DY-T1-GE3的詳細信息,包括SI4876DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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