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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號(hào) 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點(diǎn)擊查看SUD50N02-06P-E3參考圖片 SUD50N02-06P-E3 Vishay/Siliconix TO-252AA MOSFET 20V 26A 65W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SUD50N02-06P-T4 Vishay/Siliconix TO-252-3 MOSFET 20V 26A 65W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:過渡期間,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V...
SUD50N02-09P Vishay/Siliconix TO-252-3 MOSFET 20V 20A 6.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SUD50N02-09P-E3參考圖片 SUD50N02-09P-E3 Vishay/Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 MOSFET 20V 20A 6.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SUD50N024-06P-E3 Vishay/Siliconix TO-252-3 MOSFET 24V 80A 6.8W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:22 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SUD50N024-09P-E3參考圖片 SUD50N024-09P-E3 Vishay/Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 MOSFET 24V 49A 6.5W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:22 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SUD50N025-06P-E3參考圖片 SUD50N025-06P-E3 Vishay/Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 MOSFET 25V 78A 65W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:25 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SUD50N025-09BP-E3 Vishay/Siliconix TO-252 MOSFET 25V 62A 55W 8.6mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:25 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SUD50N03-06AP-E3參考圖片 SUD50N03-06AP-E3 Vishay/Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 5,855 MOSFET 30V 90A 83W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SUD50N03-06P Vishay/Siliconix TO-252-3 MOSFET 30V 84A 88W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SUD50N03-06P-E3參考圖片 SUD50N03-06P-E3 Vishay/Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SUD50N03-07參考圖片 SUD50N03-07 Vishay/Siliconix TO-252-3 MOSFET 30V 20A 83W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SUD50N03-07AP Vishay/Siliconix TO-252-3 MOSFET 30V 25A 88W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SUD50N03-07AP-E3 Vishay/Siliconix TO-252-3 MOSFET 30V 25A 88W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SUD50N03-07-E3 Vishay/Siliconix TO-252-3 MOSFET 30V 20A 83W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SUD50N03-09P-E3參考圖片 SUD50N03-09P-E3 Vishay/Siliconix TO-252AA MOSFET 30V 63A 65.2W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SUD50N03-09P-GE3參考圖片 SUD50N03-09P-GE3 Vishay/Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 MOSFET 30V 63A 65.2W 9.5mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SUD50N03-10 Vishay/Siliconix TO-252-3 MOSFET 30V 15A 83W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SUD50N03-10AP Vishay/Siliconix TO-252-3 MOSFET 30V 20A 71W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:否,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點(diǎn)擊查看SUD50N03-10AP-E3參考圖片 SUD50N03-10AP-E3 Vishay/Siliconix TO-252-3 MOSFET 30V 20A 71W
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...

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