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SUD50N03-09P-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數量：: 2709
說明：: MOSFET 30V 63A 65.2W 9.5mohm @ 10V

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SUD50N03-09P-GE3-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

SUD50N03-09P-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：2000
功率耗散：7.5 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9.5 mOhms
漏極連續電流：63 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUD50N03-09P-GE3的詳細信息，包括SUD50N03-09P-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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