Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IRFI9630GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 2,088 | MOSFET P-Chan 200V 4.3 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9634G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET P-Chan 250V 4.1 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9634GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 3,026 | MOSFET P-Chan 250V 4.1 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9640G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET P-Chan 200V 6.1 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9640GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 2,397 | MOSFET P-Chan 200V 6.1 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9Z14G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 60V 5.3 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFI9Z14GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 2,197 | MOSFET P-Chan 60V 5.3 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFI9Z24G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFI9Z24GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET P-Chan 60V 8.5 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFI9Z34G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 60V 12 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFI9Z34GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 915 | MOSFET P-Chan 60V 12 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFIB5N50LPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET N-Chan 500V 4.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB5N65A | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB5N65APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 968 | MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB6N60A | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 5.5 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB6N60APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 5.5 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB7N50A | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB7N50APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 944 | MOSFET N-Chan 500V 6.6 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB7N50LPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET N-Chan 500V 6.8 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB8N50K | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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