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IRFIB8N50K

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3 全封裝，隔離接片
數(shù)量：: 7326
說明：: MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp

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IRFIB8N50K PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：28 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：16 ns
功率耗散：45 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8.4 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220 Full-Pak
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.35 Ohms
漏極連續(xù)電流：6.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFIB8N50K的詳細(xì)信息，包括IRFIB8N50K廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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