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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源,也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
點擊查看SIR438DP-T1-GE3參考圖片 SIR438DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 261 MOSFET 25V 60A 83W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:25 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR440DP-T1-GE3參考圖片 SIR440DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 9,803 MOSFET 20V 60A 104W 1.55mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR460DP-T1-GE3參考圖片 SIR460DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 185 MOSFET 30V 40A 48W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR462DP-T1-GE3參考圖片 SIR462DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 11,970 MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR464DP-T1-GE3參考圖片 SIR464DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR466DP-T1-GE3參考圖片 SIR466DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 1,500 MOSFET 30V 40A 54W 3.5mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR468DP-T1-GE3參考圖片 SIR468DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 40A 50W 5.7mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR470DP-T1-GE3參考圖片 SIR470DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 2,042 MOSFET 40V 60A 104W 2.3mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR472DP-T1-GE3參考圖片 SIR472DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 20A 29.8W 12mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR474DP-T1-GE3參考圖片 SIR474DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 618 MOSFET 30V 20A 29.8W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR476DP-T1-GE3參考圖片 SIR476DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 25V 60A 104W 1.7mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:25 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR482DP-T1-GE3參考圖片 SIR482DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,漏極連續電流:35 A,電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0...
點擊查看SIR484DP-T1-GE3參考圖片 SIR484DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 20V 20A 29.8W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR492DP-T1-GE3參考圖片 SIR492DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 8 V,漏極連...
點擊查看SIR494DP-T1-GE3參考圖片 SIR494DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 11 MOSFET 12V 60A 104W 1.2mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:12 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR496DP-T1-GE3參考圖片 SIR496DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 20V 35A 27.7W 4.2mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR640DP-T1-GE3參考圖片 SIR640DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 40V 1.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極連續電流:60 A,電阻...
點擊查看SIR642DP-T1-GE3參考圖片 SIR642DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續電流...
點擊查看SIR662DP-T1-GE3參考圖片 SIR662DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
參數:制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,漏極連續電流:60 A,電阻汲極/源極 RDS(導通):2.7...
點擊查看SIR698DP-T1-GE3參考圖片 SIR698DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 11,257 MOSFET 100V 7.5A 23W 195mOhm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,漏極連續電流:7.5 A,電阻汲極/...

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