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SIR470DP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量:
 4949  
說明:
 MOSFET 40V 60A 104W 2.3mohm @ 10V
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SIR470DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SIR470DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:SIR470DP-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:85 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時(shí)間:31 ns
功率耗散:6.25 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :190 S
下降時(shí)間:39 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0022 Ohms
漏極連續(xù)電流:60 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIR470DP-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SIR470DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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