Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIR168DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR172DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 20A 29.8W 8.9mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR316DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 25 Volts 30 Amps 25 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIR330DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30 Volts 35 Amps 27.7 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIR401DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 1,321 | MOSFET -20V 3.2mOhm@10V 50A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，電阻汲極/源極 RDS（導通）：3... | ||||||
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SIR402DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 35A 36W 6.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR404DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 35,275 | MOSFET 20V 60A 104W 1.6mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SIR406DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 40A 48W 3.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，封裝形式：PowerPAK SO-8，包裝形式：Reel，零件號別名：SIR406DP-GE3，... | ||||||
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SIR408DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25 Volts 21.5 Amps 4.8 Watts | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIR410DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3,028 | MOSFET 20V 35A 36W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR412DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 20A N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，漏極連續電流：20 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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SIR414DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 50A 83W 2.8mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR416DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 344 | MOSFET 40V 50A 69W 3.8mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR418DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 8,473 | MOSFET 40V 40A 39W 5.0mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，封裝形式：PowerPAK SO-8，包裝形式：Reel，零件號別名：SIR418DP-GE3，... | ||||||
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SIR422DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 24,360 | MOSFET 40V 40A N-CH MOSFET | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：40 A，電阻... | ||||||
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SIR424DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2,552 | MOSFET 20V 5.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR426DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 50,109 | MOSFET 40V 30A 41.7W 10.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR428DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 30V 30A 22.7W 7.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，封裝形式：PowerPAK SO-8，包裝形式：Reel，零件號別名：SIR428DP-GE3，... | ||||||
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SIR432DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 100V 28.4A 54W 30.6mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，封裝形式：PowerPAK SO-8，包裝形式：Reel，零件號別名：SIR432DP-GE3，... | ||||||
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SIR436DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 40A 50W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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