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SIR424DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數(shù)量：: 6665
說明：: MOSFET 20V 5.5mohm @ 10V

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SIR424DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIR424DP-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：23 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：12 ns
功率耗散：4.8 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：80 S
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0046 Ohms
漏極連續(xù)電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIR424DP-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIR424DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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