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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源,也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。
圖片 型號 品牌 封裝 數量 描述 PDF資料
點擊查看SIE810DF-T1-GE3參考圖片 SIE810DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 20V 236A 125W 1.4mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SIE812DF-T1-E3參考圖片 SIE812DF-T1-E3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 40V 60A 125W 2.6mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE812DF-T1-GE3參考圖片 SIE812DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) 325 MOSFET 40V 163A 125W 2.6mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE816DF-T1-E3參考圖片 SIE816DF-T1-E3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 60V 95A 125W 7.4mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE816DF-T1-GE3參考圖片 SIE816DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 60V 95A 125W 7.4mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE818DF-T1-E3參考圖片 SIE818DF-T1-E3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 70V 60A 125W 9.5mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:75 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE818DF-T1-GE3參考圖片 SIE818DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 75V 79A 125W 9.5mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:75 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE820DF-T1-E3參考圖片 SIE820DF-T1-E3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(S) MOSFET 20V 50A 104W 3.5mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SIE820DF-T1-GE3參考圖片 SIE820DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(S) 730 MOSFET 20V 136A 104W 3.5mohm @ 4.5V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SIE822DF-T1-E3參考圖片 SIE822DF-T1-E3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(S) MOSFET 20V 50A 104W 3.4mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE822DF-T1-GE3參考圖片 SIE822DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(S) 1,678 MOSFET 20V 138A 104W 3.4mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE830DF-T1-E3參考圖片 SIE830DF-T1-E3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(S) MOSFET 30V 50A 104W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SIE830DF-T1-GE3參考圖片 SIE830DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(S) MOSFET 30V 120A 104W 4.2mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SIE832DF-T1-E3參考圖片 SIE832DF-T1-E3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(S) MOSFET 40V 50A 104W
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE832DF-T1-GE3參考圖片 SIE832DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(S) MOSFET 40V 103A 104W 5.5mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:40 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE836DF-T1-E3參考圖片 SIE836DF-T1-E3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(SH) MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏...
點擊查看SIE836DF-T1-GE3參考圖片 SIE836DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(SH) MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:200 V,閘/源擊穿電壓:+/- 30 V,漏...
點擊查看SIE844DF-T1-E3參考圖片 SIE844DF-T1-E3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(U) MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE844DF-T1-GE3參考圖片 SIE844DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(U) MOSFET 30V 44.5A 25W 7.0mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE848DF-T1-E3參考圖片 SIE848DF-T1-E3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 30V 211A 125W 1.6mohm @ 10V
參數:制造商:Vishay,產品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...

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