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SIE822DF-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 10-PolarPAK?（S）
數量：: 4441
說明：: MOSFET 20V 138A 104W 3.4mohm @ 10V

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SIE822DF-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIE822DF-GE3
工廠包裝數量：3000
功率耗散：5.2 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：PolarPAK-10
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.4 mOhms
漏極連續電流：31 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIE822DF-T1-GE3的詳細信息，包括SIE822DF-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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