Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計算機(jī)磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SIB457EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | 20,952 | MOSFET -20V 35mOhm@4.5V 9A P-Ch G-III | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 20 V，閘/源擊穿電壓：8 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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SIB488DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 12V 9A N-CHANNEL MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，漏極連續(xù)電流：9 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.01... | ||||||
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SIB800EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6 | MOSFET 20V 1.5A 3.1W 225mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 6 V，漏極連... | ||||||
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SIB900EDK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6L 雙 | MOSFET 20V 1.5A 3.1W 225mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 6 V，漏極連... | ||||||
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SIB911DK-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6L 雙 | MOSFET DUAL P-CH 20V(D-S) | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIB911DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6L 雙 | MOSFET 20V 2.6A 3.1W 295mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIB912DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6L 雙 | MOSFET 20V 1.5A 3.1W 216mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIB914DK-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SC-75-6L 雙 | MOSFET 8.0V 1.5A 3.1W 113mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SIE726DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 80A 125W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIE726DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 175A 125W 2.4mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIE800DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（S） | MOSFET 30V 50A 104W 7.2mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIE800DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（S） | MOSFET 30V 90A 104W 7.2mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIE802DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 60A 125W 1.9mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIE802DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 202A 125W 1.9mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIE804DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（LH） | MOSFET 150V 37A 125W 38mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：SIE804DF-GE3，... | ||||||
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SIE806DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SIE806DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SIE808DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 20V 60A 125W 1.6mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIE808DF-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 20V 220A 125W 1.6mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIE810DF-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 10-PolarPAK?（L） | MOSFET 20V 60A 125W 1.4mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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