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SIB914DK-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-75-6L 雙
數量:
 2106  
說明:
 MOSFET 8.0V 1.5A 3.1W 113mohm @ 4.5V
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SIB914DK-T1-GE3-PowerPAK? SC-75-6L 雙圖片

SIB914DK-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIB914DK-GE3
典型關閉延遲時間:22 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:7 ns
功率耗散:1100 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:7 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SC-75-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):113 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流:1.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓:8 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIB914DK-T1-GE3的詳細信息,包括SIB914DK-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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