Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SI7956DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | 3,000 | MOSFET DUAL N-CH 150V (D-S) | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7956DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 150V 4.1A 3.5W 105mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SI7958DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7958DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET Dual N-Ch 40V 16.5mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7960DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET DUAL N-CH 60V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7960DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET Dual N-Ch 60V 21mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7962DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET DUAL N-CH 40V (D-S) HIGH THRESHOLD | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7962DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7964DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET DUAL N-CH 60V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7964DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 60V 9.6A 3.5W 23mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7970DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 40V 10.2A 3.5W 19mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7973DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 12V 12.8A 1.4W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7973DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK SO-8 | MOSFET 12V 12.8A 3.5W 15mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7980DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 20V 8.0A 19.8/21.9W 22/15mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI7980DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | 10 | MOSFET 20/20V 8.0/17A 22/15mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極... | ||||||
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SI7983DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET DUAL P-CH 20V (D-S) | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7983DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 20V 12A 3.5W 17mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI7994DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 30V 60A 46W 5.6mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI7997DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | 17,402 | MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III | |
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：- 60 A，電阻... | ||||||
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SI7998DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 雙 | MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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