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SI7998DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8 雙
數量：: 1881
說明：: MOSFET 30V 25/30A 93/53mohm @ 10V

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SI7998DP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI7998DP-GE3
典型關閉延遲時間：22 ns, 35 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：15 ns, 17 ns
功率耗散：3.6 W, 4 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns, 10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0093 Ohms
漏極連續電流：15 A, 21 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7998DP-T1-GE3的詳細信息，包括SI7998DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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