Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IXTQ180N055T | Ixys | TO-3P | MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
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IXTQ180N085T | Ixys | TO-3P | MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，漏極連續(xù)電流：180 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTQ180N10T | Ixys | TO-3P | MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：180 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0... | ||||||
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IXTQ182N055T | Ixys | TO-3P | MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，漏極連續(xù)電流：182 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTQ18N60P | Ixys | TO-3P | MOSFET 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：18 A，電阻汲... | ||||||
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IXTQ200N06P | Ixys | TO-3P | MOSFET 200 Amps 60V 0.006 Ohm Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：200 A，電阻汲... | ||||||
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IXTQ200N075T | Ixys | TO-3P | MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，漏極連續(xù)電流：200 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTQ200N085T | Ixys | TO-3P | MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，漏極連續(xù)電流：200 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTQ200N10T | Ixys | TO-3P | 16 | MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續(xù)電流：200 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0... | ||||||
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IXTQ220N055T | Ixys | TO-3P | MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，漏極連續(xù)電流：220 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTQ220N075T | Ixys | TO-3P | MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，漏極連續(xù)電流：220 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTQ22N50P | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | 223 | MOSFET 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：22 A，電阻汲... | ||||||
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IXTQ22N60P | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | 190 | MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：22 A，電阻汲... | ||||||
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IXTQ230N085T | Ixys | TO-3P | MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，漏極連續(xù)電流：230 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTQ23N60Q | Ixys | TO-3P | MOSFET 23 Amps 600V 0.320 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：23 A，電阻汲... | ||||||
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IXTQ240N055T | Ixys | TO-3P | MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，漏極連續(xù)電流：240 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTQ24N55Q | Ixys | TO-3P | MOSFET 24 Amps 550V 0.270 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：550 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：24 A，電阻汲... | ||||||
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IXTQ250N075T | Ixys | TO-3P | MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，漏極連續(xù)電流：250 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.00... | ||||||
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IXTQ26N50P | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | 194 | MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds | |
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：26 A，電阻汲... | ||||||
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IXTQ26N60P | Ixys | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：26 A，電阻汲... | ||||||
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