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IXTQ180N10T

廠家:
  Ixys
封裝:
 TO-3P
數量:
 171  
說明:
 MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
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IXTQ180N10T-TO-3P圖片

IXTQ180N10T PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:42 ns
工廠包裝數量:30
上升時間:54 ns
功率耗散:480 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:31 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3P
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0064 Ohms
漏極連續電流:180 A
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXTQ180N10T的詳細信息,包括IXTQ180N10T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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