色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > ZXTN2010ASTOA

ZXTN2010ASTOA

廠家：: Diodes Inc. / Zetex
封裝：: E-Line
數量：: 8757
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN 60V 4.5A 3-PIN

一、本商品被瀏覽0次.

ZXTN2010ASTOA PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：1500
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：710 mW
直流電流增益 hFE 最大值：100 at 10 mA at 1 V
封裝形式：E-Line
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：100 at 10 mA at 1 V
增益帶寬產品fT：130 MHz
最大直流電集電極電流：4.5 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：60 V
集電極—基極電壓 VCBO：150 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXTN2010ASTOA的詳細信息，包括ZXTN2010ASTOA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：