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ZXM66P02N8TA

廠家:
  Diodes Inc. / Zetex
封裝:
 8-SO
數量:
 1116  
說明:
 MOSFET 20V P-Chnl HDMOS
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ZXM66P02N8TA-8-SO圖片

ZXM66P02N8TA PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:118.4 ns
工廠包裝數量:500
上升時間:44.3 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:98.4 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.045 Ohms
漏極連續(xù)電流:- 8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

以上是ZXM66P02N8TA的詳細信息,包括ZXM66P02N8TA廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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