色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > ZVN2110GTC

ZVN2110GTC

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: SOT-223-3
數量：: 4230
說明：: MOSFET N-Chnl 100V

一、本商品被瀏覽0次.

ZVN2110GTC PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：8 ns
工廠包裝數量：4000
上升時間：4 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4 Ohms
漏極連續電流：500 mA
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZVN2110GTC的詳細信息，包括ZVN2110GTC廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ