色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<button id="8suqe"></button>

<strike id="8suqe"></strike>

<button id="8suqe"><dl id="8suqe"></dl></button><li id="8suqe"></li>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > XN0411200L

XN0411200L

廠家：: Panasonic Electronic Components
封裝：: MINI6-G1
數量：: 2925
說明：: TRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI6P

一、本商品被瀏覽0次.

XN0411200L PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）：22K
電阻器 - 發射極 (R2)（歐）：22K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：60 @ 5mA, 10V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大）：500nA
頻率 - 轉換：80MHz
功率 - 最大：300mW
安裝類型：表面貼裝

以上是XN0411200L的詳細信息，包括XN0411200L廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：