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VS-8EWS16STR-M3

廠家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝:
 D-PAK(TO-252AA)
數(shù)量:
 8622  
說明:
 DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK
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VS-8EWS16STR-M3-D-PAK(TO-252AA)圖片

VS-8EWS16STR-M3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:D-PAK(TO-252AA)
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容:-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏:50 μA @ 1600 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-
速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf):1.1 V @ 8 A
電流 - 平均整流 (Io):8A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1600 V
技術(shù):標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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