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VS-4EWH02FN-M3

廠家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：: D-PAK（TO-252AA）
數量：: 8127
說明：: DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK

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VS-4EWH02FN-M3 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：D-PAK（TO-252AA）
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：3 μA @ 200 V
反向恢復時間 (trr)：20 ns
速度：快速恢復 = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：950 mV @ 4 A
電流 - 平均整流 (Io)：4A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：200 V
技術：標準
產品狀態：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是VS-4EWH02FN-M3的詳細信息，包括VS-4EWH02FN-M3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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