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VS-20ETS12S-M3

廠家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝：: TO-263AB（D2PAK）
數(shù)量：: 8190
說明：: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

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VS-20ETS12S-M3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：TO-263AB（D2PAK）
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時(shí)電容：-
不同 Vr 時(shí)電流 - 反向泄漏：100 μA @ 1200 V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
速度：快速恢復(fù) = 200mA（Io）
不同 If 時(shí)電壓 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 20 A
電流 - 平均整流 (Io)：20A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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