色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > VQ1000P-E3

VQ1000P-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PDIP-14
數(shù)量：: 8604
說明：: MOSFET N-CH 60V 0.225A

一、本商品被瀏覽0次.

VQ1000P-E3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：25
功率耗散：2000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Bulk
封裝形式：PDIP-14
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Quad
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：5.5 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.225 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是VQ1000P-E3的詳細(xì)信息，包括VQ1000P-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ