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VP0808B-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-39
數(shù)量：: 6804
說明：: MOSFET 80V 3A 6.25W

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VP0808B-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：100
上升時間：30 ns
功率耗散：6.25 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：20 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-205AD
安裝風格：Stud
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：5 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.88 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 80 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是VP0808B-E3的詳細信息，包括VP0808B-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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