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VP0808B-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-39
數(shù)量:
 6804  
說明:
 MOSFET 80V 3A 6.25W
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VP0808B-E3-TO-39圖片

VP0808B-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:20 ns
工廠包裝數(shù)量:100
上升時間:30 ns
功率耗散:6.25 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:20 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-205AD
安裝風格:Stud
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):5 Ohms
漏極連續(xù)電流:0.88 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 80 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是VP0808B-E3的詳細信息,包括VP0808B-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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