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VNS1NV04D-E

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數量:
 3573  
說明:
 MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni
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VNS1NV04D-E-8-SOIC(0.154

VNS1NV04D-E PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:350 ns
工廠包裝數量:100
上升時間:170 ns
功率耗散:8.3 W
最小工作溫度:- 40 C
柵極電荷 Qg:5 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :2 S
下降時間:200 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):250 mOhms
漏極連續電流:1.7 A
閘/源擊穿電壓:8 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是VNS1NV04D-E的詳細信息,包括VNS1NV04D-E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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