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VNN7NV04PTR-E

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-261-4，TO-261AA
數量：: 7677
說明：: MOSFET 40V 6A OMNIFET

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VNN7NV04PTR-E PDF參數資料

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中文參數如下：

上升時間：470 ns
功率耗散：7 W
柵極電荷 Qg：18 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：9 S
下降時間：350 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：60 mOhms
漏極連續電流：30 uA
汲極/源極擊穿電壓：45 V
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是VNN7NV04PTR-E的詳細信息，包括VNN7NV04PTR-E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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