色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 無源元件 > 電容器 > 薄膜電容器 > VFS6VD81E221T51B

VFS6VD81E221T51B

廠家：: Murata
封裝：: 3-SIP
數量：: 2601
說明：: EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 220PF 25V VARISTOR C

一、本商品被瀏覽0次.

VFS6VD81E221T51B PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
高度：0.413（10.50mm）
大小 / 尺寸：0.315 長 x 0.100 寬（8.00mm x 2.54mm）
封裝/外殼：3-SIP
安裝類型：通孔
電壓 - 額定：25V
應用：通用
工作溫度：-40°C ~ 105°C
ESD 保護：無
數值：C = 220pF
電流：6 A
電阻 - 通道 (歐姆)：-
衰減值：-
中心/截止頻率：-
通道數：1
技術：LC（T 型）
濾波器階數：3rd
類型：低通
產品狀態：停產
包裝：EMIFIL, EMIGUARD, VFS6
系列：散裝
品牌：Murata Electronics

以上是VFS6VD81E221T51B的詳細信息，包括VFS6VD81E221T51B廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他電容器產品：

云母電容器硅電容器陶瓷電容器鉭電容器超級電容/超級電容器

薄膜電容器最新產品：