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US6T9TR

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: UMT6
數(shù)量：: 6093
說明：: 兩極晶體管 - BJT BIPOLAR PNP

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US6T9TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
認(rèn)證機(jī)構(gòu)：
封裝封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：320MHz
功率 - 最大值：400mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：270 @ 100mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：350mV @ 25mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：30V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1A
晶體管類型：2 PNP（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：不適用于新設(shè)計(jì)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

以上是US6T9TR的詳細(xì)信息，包括US6T9TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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