色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > UNR411H00A

UNR411H00A

廠家：: Panasonic Electronic Components
封裝：: NS-B1
數量：: 8352
說明：: TRANS PNP W/RES 30HFE NS-B1

一、本商品被瀏覽0次.

UNR411H00A PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

晶體管類型：PNP - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：100mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）：2.2K
電阻器 - 發射極 (R2)（歐）：10K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：30 @ 5mA, 10V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大）：500nA
頻率 - 轉換：80MHz
功率 - 最大：300mW
安裝類型：通孔

以上是UNR411H00A的詳細信息，包括UNR411H00A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：