色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > UNR311100L

UNR311100L

廠家：: Panasonic Electronic Components
封裝：: SSS迷你型3-F1
數(shù)量：: 7812
說明：: TRANS PNP W/RES 35 HFE SSSMINI-3

一、本商品被瀏覽0次.

UNR311100L PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）：10K
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）：10K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：35 @ 5mA, 10V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大）：500nA
頻率 - 轉(zhuǎn)換：80MHz
功率 - 最大：100mW
安裝類型：表面貼裝

以上是UNR311100L的詳細信息，包括UNR311100L廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：